12月30日，武汉高科集团投资企业英诺赛科（苏州）科技股份有限公司在香港联合交易所主板挂牌上市（股票代码02577.HK），全球发售4536.4万股H股，发行价格为每股30.86港元，午盘前股价最高涨至每股34港元，成为港股“第三代半导体”第一股。至此，武汉高科集团投资的上市公司数量已达到16家。

英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。目前氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，与传统的硅基器件相比，氮化镓传导电子的效率甚至可以高出1000倍。

当前，英诺赛科已与OPPO、Vivo、小米等知名手机厂商，安克、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商，以及家电、储能行业的头部企业建立了密切合作关系，其产品InnoGaN也在手机OVP、快充、车载激光雷达、车载PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、BMS电池管理、储能双向变换器、光伏MPPT等产品中大批量量产。2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4%。截至2024年6月，累计出货量超过8.5亿颗。

武汉高科集团于2023年12月在英诺赛科Pre-IPO轮融资中，斥资6亿元参与投资，有效促进了东湖高新区化合物半导体产业补链强链。随着在港交所主板的成功上市，英诺赛科有望借助国际资本市场的力量进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。